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FQP20N60	文件：450.02 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FQPF20N60	文件：450.02 Kbytes Page：6 Pages	600V,20AN-ChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FTW20N60A	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
G20N60	文件：364.5 Kbytes Page：12 Pages	FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
G20N60HS	文件：426.22 Kbytes Page：11 Pages	HighSpeedIGBTinNPT-technology HighSpeedIGBTinNPT-technology •30lowerEoffcomparedtopreviousgeneration •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedforoperationabove30kHz •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -parallelswitchingcapability -moderateEoffincreasewithtemperature -	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
GC20N60F	文件：2.51102 Mbytes Page：8 Pages	PowerFactorCorrection(PFC) Description TheGC20N60usesadvancedsuperjunctiontechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithlowgatevoltages.Thisdeviceissuitablefor industry’sAC-DCSMPSrequirementforPFC,AC/DCpower conversion,andindustrialpowerapplication. Ap	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GC20N60K	文件：2.51102 Mbytes Page：8 Pages	PowerFactorCorrection(PFC) Description TheGC20N60usesadvancedsuperjunctiontechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithlowgatevoltages.Thisdeviceissuitablefor industry’sAC-DCSMPSrequirementforPFC,AC/DCpower conversion,andindustrialpowerapplication. Ap	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
GC20N60T	文件：2.51102 Mbytes Page：8 Pages	PowerFactorCorrection(PFC) Description TheGC20N60usesadvancedsuperjunctiontechnology anddesigntoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand operationwithlowgatevoltages.Thisdeviceissuitablefor industry’sAC-DCSMPSrequirementforPFC,AC/DCpower conversion,andindustrialpowerapplication. Ap	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
HIA20N60BP	文件：664.05 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
HIH20N60BP	文件：644.27 Kbytes Page：7 Pages	600VPTIGBT	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW

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详细参数

型号：
FCPF20N60ST
功能描述：
MOSFET 600V NH MOSFET FRFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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