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F1102	文件：3.55302 Mbytes Page：27 Pages	RF to IF Dual Downconverting Mixer FEATURES •DualPathforDiversitySystems •IdealforMulti-CarrierSystems •8.9dBGain •Ultralinear+43dBmIP3O •LowNF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1102	文件：1.65894 Mbytes Page：18 Pages	RF to IF Dual Downconverting Mixer FEATURES •DualPathforDiversitySystems •IdealforMulti-CarrierSystems •MIMOfriendly:-6dBmminLOdrive •9dBGain •Ultralinear:+41dBmIP3O(350MHzIF) •LowNF~10dB •200@outputimpedance •Ultrahigh+13dBmP1dBI •PinCompatiblew/Existingsolutions •6x636pinp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1102	文件：2.84034 Mbytes Page：27 Pages	RF to IF Dual Downconverting Mixer FEATURES •DualPathforDiversitySystems •IdealforMulti-CarrierSystems •8.5dBGain(200MHzIF) •Ultralinear+38dBmIP3O(350MHzIF) •Ultralinear+40dBmIP3O(200MHzIF) •LowNF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1107	文件：39.6 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR??? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
F1108	文件：41.19 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR??? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfet™processfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetim	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
F1116	文件：42.54 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR??? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
F1120	文件：44.67 Kbytes Page：2 Pages	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR??? GeneralDescription SiliconVDMOSandLDMOStransistorsdesignedspecificallyforbroadbandRFapplications.SuitableforMilitaryRadios,CellularandPagingAmplifierBaseStations,BroadcastFM/AM,MRI,LaserDriverandothers. Polyfetprocessfeaturesgoldmetalforgreatlyextendedlifetime	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
F1129HB	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50Ω SE-In – 100Ω DIFF-Out Amplifier 3.0GHz to 4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1129LB	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50Ω SE-In – 100Ω DIFF-Out Amplifier 3.0GHz to 4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1129MB	文件：2.084909 Mbytes Page：22 Pages	50Ω SE-In – 100Ω DIFF-Out Amplifier 3.0GHz to 4.2GHz Features RFrange:3.0GHzto4.2GHz Gain=19dBat3.55GHz Noisefigure=1.8dBat3.55GHz OIP3=+32dBmat3.55GHz OutputP1dB=+18dBmat3.55GHz Gainvariationovertemperature=±0.15dBtypical 50Ωsingle-endedinputimpedances 100Ωdifferentialoutputimpedances 3.3Vor5Vp	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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技术参数

OutputVoltage：
0.058 to 1 kV
InputVoltage：
0.7 to 12 VDC
OutputRegulation：
Proportional

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳新景润电子科技有限公司	F1	群鑫	22+	R-1	30788	原装正品一级代理	询价
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