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UPD4164	文件：363.29 Kbytes Page：6 Pages	65,536 x 1 BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DESCRIPTION The NEC /lPD4164 is a 65,536 words by 1 bit Dynamic N-Channel MOS RAM designed to operate from a single +5V power supply. The negative-voltage substrate bias is internally generated - its operation is both automatic and transparent. The /lPD4164 utilizes a double-poly-layer N-chann 文件：363.29 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD4164-1	文件：363.29 Kbytes Page：6 Pages	65,536 x 1 BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DESCRIPTION The NEC /lPD4164 is a 65,536 words by 1 bit Dynamic N-Channel MOS RAM designed to operate from a single +5V power supply. The negative-voltage substrate bias is internally generated - its operation is both automatic and transparent. The /lPD4164 utilizes a double-poly-layer N-chann 文件：363.29 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD4164-2	文件：363.29 Kbytes Page：6 Pages	65,536 x 1 BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DESCRIPTION The NEC /lPD4164 is a 65,536 words by 1 bit Dynamic N-Channel MOS RAM designed to operate from a single +5V power supply. The negative-voltage substrate bias is internally generated - its operation is both automatic and transparent. The /lPD4164 utilizes a double-poly-layer N-chann 文件：363.29 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD4164-3	文件：363.29 Kbytes Page：6 Pages	65,536 x 1 BIT DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DESCRIPTION The NEC /lPD4164 is a 65,536 words by 1 bit Dynamic N-Channel MOS RAM designed to operate from a single +5V power supply. The negative-voltage substrate bias is internally generated - its operation is both automatic and transparent. The /lPD4164 utilizes a double-poly-layer N-chann 文件：363.29 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD4168	文件：664.65 Kbytes Page：7 Pages	8,192 x 8-BIT NMOS XRAM 8,192 x 8-Bit NMOS XRAM 文件：664.65 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD4168C	文件：664.65 Kbytes Page：7 Pages	8,192 x 8-BIT NMOS XRAM 8,192 x 8-Bit NMOS XRAM 文件：664.65 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD4168C-12	文件：664.65 Kbytes Page：7 Pages	8,192 x 8-BIT NMOS XRAM 8,192 x 8-Bit NMOS XRAM 文件：664.65 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD4168C-15	文件：664.65 Kbytes Page：7 Pages	8,192 x 8-BIT NMOS XRAM 8,192 x 8-Bit NMOS XRAM 文件：664.65 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD4168C-20	文件：664.65 Kbytes Page：7 Pages	8,192 x 8-BIT NMOS XRAM 8,192 x 8-Bit NMOS XRAM 文件：664.65 Kbytes 页数：7 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPD4168	文件：300 bytes Page：1 Pages	8,192 x 8-BIT NMOS XRAM	Renesas 瑞萨	Renesas

详细参数

型号：
UPD416
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
8,192 x 8-BIT NMOS XRAM

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