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NTE2117	文件：165.96 Kbytes Page：1 Pages	MICROPROCESSOR & MEMORY CIRCUITS	NTE NTE Electronics	NTE
NX2117	文件：408.22 Kbytes Page：14 Pages	SYNCHRONOUSPWMCONTROLLERWITHCURRENTLIMIT,POWERGOOD&OVERVOLTAGE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NX2117A	文件：408.22 Kbytes Page：14 Pages	SYNCHRONOUSPWMCONTROLLERWITHCURRENTLIMIT,POWERGOOD&OVERVOLTAGE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NX2117ACUTR	文件：408.22 Kbytes Page：14 Pages	SYNCHRONOUSPWMCONTROLLERWITHCURRENTLIMIT,POWERGOOD&OVERVOLTAGE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
NX2117CUTR	文件：408.22 Kbytes Page：14 Pages	SYNCHRONOUSPWMCONTROLLERWITHCURRENTLIMIT,POWERGOOD&OVERVOLTAGE	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
PTPS2117DRLR	文件：1.28779 Mbytes Page：26 Pages	TPS21171.6-Vto5.5-V,4-ALowIQPowerMuxWithManualandPrioritySwitchover 1Features •Inputvoltagerange:1.6Vto5.5V •Maximumcontinuouscurrent:4A •On-resistance:20mΩ(typical) •VIN2standbycurrent:50nA(typical) •Quiescentcurrent:1.32μA(typical) •Switchovermodes: –Prioritymode –Manualmode –Diodemode •Controlledoutputslewrate:	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PTPS2117DRLR	文件：1.45136 Mbytes Page：26 Pages	TPS21171.6-Vto5.5-V,4-ALowIQPowerMuxWithManualandPrioritySwitchover 1Features •Inputvoltagerange:1.6Vto5.5V •Maximumcontinuouscurrent:4A •On-resistance:20mΩ(typical) •VIN2standbycurrent:50nA(typical) •Quiescentcurrent:1.32μA(typical) •Switchovermodes: –Prioritymode –Manualmode –Diodemode •Controlledoutputslewrate:	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
RF2117	文件：173.89 Kbytes Page：8 Pages	HIGHEFFICIENCY400MHZAMPLIFIER GeneralDescription TheRF2117isahighpoweramplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierinanalogcellularphonetransmittersbetween400MHzand500MHzorISMa	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RF2117PCBA	文件：173.89 Kbytes Page：8 Pages	HIGHEFFICIENCY400MHZAMPLIFIER GeneralDescription TheRF2117isahighpoweramplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasthefinalRFamplifierinanalogcellularphonetransmittersbetween400MHzand500MHzorISMa	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RN2117	文件：275.82 Kbytes Page：8 Pages	Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
NTE2117
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
IC-M0S 16K DRAM
功能描述：
IC, DRAM, 16KBIT, DIP-16; Memory
Type：
DRAM - NMOS; Memory
Configuration：
16K x 1; Access
Time：
200ns; Page
Size：
16Kbit; Memory Case
Style：
DIP; No. of
Pins：
16; Operating Temperature
Min：
0C; Operating Temperature
Max：
70C
Pins：
16; IC Interface
Type：
(Not Available); Operating Temperature
Min：
0C
功能描述：
DRAM Chip DRAM 16K-Bit 16Kx1 5V 16-Pin DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
万三科技(深圳)有限公司	NTE2128	NTE	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NTE213		24+	N/A	51000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
上海金庆电子技术有限公司	NTE214		新		37	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	NTE214		2022+		33	全新原装货期两周	询价
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上海意淼电子科技有限公司	NTE22	OTAX	23+	NA	20000	全新原装假一赔十	询价
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深圳市赛尔通科技有限公司	NTE228	NTE	23+		65480		询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	NTE2309	SANYO	24+	TO-3P	36500	原装现货/放心购买	询价

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