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NTE2321	文件：22.72 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor Quad, General Purpose SiliconNPNTransistorQuad,GeneralPurpose	NTE NTE Electronics	NTE
PAM2321	文件：525.25 Kbytes Page：11 Pages	3MHz,FastTransient2AStep-DownConverter	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
PAM2321	文件：360.37 Kbytes Page：11 Pages	FASTTRANSIENT2ASTEP-DOWNCONVERTER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PAM2321AYMADJ	文件：360.37 Kbytes Page：11 Pages	FASTTRANSIENT2ASTEP-DOWNCONVERTER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
PB-CMM2321-AK	文件：279.64 Kbytes Page：5 Pages	2.4to2.5GHz1WattPowerAmplifier GeneralDescription TheCMM2321isapoweramplifierintendedforusein2.4GHzISMbandapplicationssuchaswirelessdatacomequipment,wirelessbarcodescannersandinter-buildingcampusnetworks.Thisflexibleamplifiercanbebiasedtosupporttherequirementsoffrequencyhoppingordirec	MIMIX Mimix Broadband	MIMIX
PB-CMM2321-AK	文件：465.98 Kbytes Page：4 Pages	2.3to2.5GHz1WattPowerAmplifier GeneralDescription TheCMM2321isapoweramplifierintendedforusein2.4GHzISMbandapplicationssuchaswirelessdatacomequipment,wirelessbarcodescannersandinter-buildingcampusnetworks.Thisflexibleamplifiercanbebiasedtosupporttherequirementsoffrequencyhoppingordirec	MIMIX Mimix Broadband	MIMIX
PJM2321PSA	文件：3.2916 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelPowerMOSFET	PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, 平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司	PJSEMI
RF2321	文件：240.45 Kbytes Page：8 Pages	3VGENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2321isageneralpurpose,low-costsiliconamplifierdesignedforoperationfroma3Vsupply.Thecircuitconfigurationwithresistivefeedbackallowsforbroadbandcascadableamplification.Capacitivecompensationextendsthebandwidthoftheamplifierandinputstage	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2321PCBA	文件：240.45 Kbytes Page：8 Pages	3VGENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2321isageneralpurpose,low-costsiliconamplifierdesignedforoperationfroma3Vsupply.Thecircuitconfigurationwithresistivefeedbackallowsforbroadbandcascadableamplification.Capacitivecompensationextendsthebandwidthoftheamplifierandinputstage	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RN2321A	文件：206.86 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPNPEpitaxialType(PCTProcess)Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitAndDriverCircuitApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
NTE2321
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
QUAD TRANSISTOR NPN SILICON 60V IC=0.5A 14-LEAD DIP
功能描述：
Bulk
功能描述：
T-NPN-SI-QUAD GEN PURP
功能描述：
TRANSISTOR; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
1.6V; Transition Frequency Typ
ft：
350MHz; Power Dissipation
Pd：
1.9W; DC Collector
Current：
500mA; DC Current Gain
hFE：
100; Operating Temperature
Min：
-65C ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Trans GP BJT NPN 30V 0.5A 14-Pin DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
上海金庆电子技术有限公司	NTE2321		新		141	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	NTE2321		2022+		137	全新原装货期两周	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NTE2321		24+	N/A	72000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	NTE2323	NTE	23+		65480		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NTE2328	NTE	23+	TO264	39265	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价

更多NTE2321供应商更新时间2025-5-10 16:06:00

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