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NTE2399	文件：28.17 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch Features: Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching Ease of Paralleling Simple Drive Requirements 文件：28.17 Kbytes 页数：3 Pages	NTE	NTE
NTE2399	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Selector Guide	NTE	NTE
PT2399	文件：81.75 Kbytes Page：5 Pages	Echo Processor IC DESCRIPTION The PT2399 is a single chip echo processor IC utilizing CMOS technology. Which accept analog audio input signal, a high sample rate ADC transfer the analog signal into a bit stream then storage to internal 44Kbit RAM, after processing the bit stream will de-modulate by DAC and lowpass 文件：81.75 Kbytes 页数：5 Pages	PTC 普诚科技	PTC
PT2399	文件：320.14 Kbytes Page：9 Pages	Echo Processor IC 文件：320.14 Kbytes 页数：9 Pages	PTC 普诚科技	PTC
PT2399S	文件：320.14 Kbytes Page：9 Pages	Echo Processor IC 文件：320.14 Kbytes 页数：9 Pages	PTC 普诚科技	PTC

型号：
NTE2399
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
POWER MOSFET N-CHANNEL 1000V ID=3.1A TO-220 CASE HIGH SPEED SWITCH ENHANCEMENT M
功能描述：
N CHANNEL MOSFET 1KV 3.1A TO-220
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 1KV, 3.1A, TO-220
功能描述：
MOSFET-PWRN- CHANNEL
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 1KV, 3.1A, TO-220; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
3.1A; Drain Source Voltage
Vds：
1kV; On Resistance
Rds(on)：
500mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220

更多NTE2399供应商更新时间2026-1-16 16:05:00