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NTE2399	文件：28.17 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch Features: Dynamicdv/dtRating RepetitiveAvalancheRated FastSwitching EaseofParalleling SimpleDriveRequirements	NTE NTE Electronics	NTE
PT2399	文件：320.14 Kbytes Page：9 Pages	EchoProcessorIC	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2399	文件：81.75 Kbytes Page：5 Pages	EchoProcessorIC DESCRIPTION ThePT2399isasinglechipechoprocessorICutilizingCMOStechnology.Whichacceptanalogaudioinputsignal,ahighsamplerateADCtransfertheanalogsignalintoabitstreamthenstoragetointernal44KbitRAM,afterprocessingthebitstreamwillde-modulatebyDACandlowpass	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2399S	文件：320.14 Kbytes Page：9 Pages	EchoProcessorIC	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2399-SN	文件：320.14 Kbytes Page：9 Pages	EchoProcessorIC	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
SI2399DS	文件：69.75 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2399DS	文件：2.02385 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-20V ●ID=-6A(VGS=±12V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI2399DS	文件：178.68 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2399DS	文件：1.81566 Mbytes Page：6 Pages	20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Application Load/PowerSwitching InterfacingSwitching LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
SI2399DS-HF	文件：2.073739 Mbytes Page：6 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-20V ●ID=-6A(VGS=±12V) ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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详细参数

型号：
NTE2399
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
POWER MOSFET N-CHANNEL 1000V ID=3.1A TO-220 CASE HIGH SPEED SWITCH ENHANCEMENT M
功能描述：
N CHANNEL MOSFET 1KV 3.1A TO-220
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 1KV, 3.1A, TO-220
功能描述：
MOSFET-PWRN- CHANNEL
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 1KV, 3.1A, TO-220; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
3.1A; Drain Source Voltage
Vds：
1kV; On Resistance
Rds(on)：
500mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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上海市鑫鸿达电子	NTE2399		2022+		2	全新原装货期两周	询价
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更多NTE2399供应商更新时间2025-5-29 16:06:00

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