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NTE2330	文件：20.35 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor High Gain Amp w/Internal Zener Diode Features: • Excellent Wide Safe Operating Area • Included Avalanche Diode • High DC Current Gain • High Collector Power Dissipation Capability 文件：20.35 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE
NTE2330	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bi-Polar transistor Selector Guide	NTE	NTE
OPA2330	文件：1.15893 Mbytes Page：29 Pages	50mV VOS, 0.25mV/째C, 35mA CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS Zer첩-Drift Series 文件：1.15893 Mbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2330	文件：1.20873 Mbytes Page：30 Pages	50mV VOS, 0.25mV/째C, 35mA CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS Zer첩-Drift Series 文件：1.20873 Mbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
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型号：
NTE2330
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
TRANSISTOR NPN SILICON 55V+-10V IC=4A TO-3P CASE HIGH GAIN AMP WITH INTERNAL ZEN
功能描述：
T-NPN-SI DARLINGTON
功能描述：
Trans GP BJT NPN 55V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247

更多NTE2330供应商更新时间2025-10-4 11:06:00