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NTE2388	文件：26.5 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch Description: The NTE2388 is an N–Channel Enhancement Mode Power MOS Field Effect Transistor in a TO220 type package designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers. Features: • Silicon Gate for Fast 文件：26.5 Kbytes 页数：3 Pages	NTE	NTE
NTE2388	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Selector Guide	NTE	NTE
OPA2388	文件：2.3549 Mbytes Page：34 Pages	Precision, Zero-Drift, Zero-Crossover, True Rail-to-Rail Input/Output, Operational Amplifiers 文件：2.3549 Mbytes 页数：34 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2388	文件：2.2625 Mbytes Page：32 Pages	Precision, Zero-Drift, Zero-Crossover, True Rail-to-Rail Input/Output, Operational Amplifiers 文件：2.2625 Mbytes 页数：32 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2388	文件：2.52384 Mbytes Page：37 Pages	Precision, Zero-Drift, Zero-Crossover, True Rail-to-Rail Input/Output, Operational Amplifiers 文件：2.52384 Mbytes 页数：37 Pages	TI 德州仪器	TI

型号：
NTE2388
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
POWER MOSFET N-CHANNEL 200V ID=18A TO-220 CASE HIGH SPEED SWITCH ENHANCEMENT MOD
功能描述：
N CHANNEL MOSFET 200V 18A TO-220
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220
功能描述：
MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 200V, 18A, TO-220; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
18A; Drain Source Voltage
Vds：
200V; On Resistance
Rds(on)：
180mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220

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