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NTE2386	文件：27.82 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Channel Enhancemen Mode, High Speed Switch Description: TheNTE2386PowerMOSFETfeaturesadvantagessuchasvoltagecontrol,veryfastswitching,easeofparallelingandtemperaturestability,andissuitedforapplicationssuchasswitchingpowersupplies,motorcontrols,inverters,choppers,audioamplifiers,andhighenergypulseci	NTE NTE Electronics	NTE
PP2386	文件：271.37 Kbytes Page：4 Pages	HeatShrinkTubing	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PT2386	文件：337.83 Kbytes Page：16 Pages	3DEffectIC	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2386	文件：57.63 Kbytes Page：4 Pages	3DEffectIC DESCRIPTION PT2386isanenhanced3DAudioEffectICutilizingCMOSTechnologyspeciallydesignedforthenewgenerationofaudioequipments.PT2386featuresabassboosterfunctionaswellasthelatestPTC3DAudioTechnology,thereby,guaranteeinghighlypowerful,extensiveandtrue-to-life	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
PT2386-S	文件：337.83 Kbytes Page：16 Pages	3DEffectIC	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
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S2386	文件：118.92 Kbytes Page：4 Pages	SiphotodiodeForvisibletoIR,general-purposephotometry	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
SGA-2386	文件：95.98 Kbytes Page：4 Pages	DC-5000MHz,CascadableSiGeHBTMMICAmplifier ProductDescription TheSGA-2386isahighperformanceSiGeHBTMMICAmplifier.ADarlingtonconfigurationfeaturing1micronemittersprovideshighFTandexcellentthermalperfomance.Theheterojunctionincreasesbreakdownvoltageandminimizesleakagecurrentbetweenjunctions.Cancellationof	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA
SGA-2386	文件：230.19 Kbytes Page：7 Pages	DC-2800MHzSiliconGermaniumHBTCascadeableGainBlock ProductDescription StanfordMicrodevices’SGA-2386isahighperformancecascadeable50-ohmamplifierdesignedforoperationfroma2.7-voltsupply.ThisRFICusesthelatestSiliconGermaniumHeterostructureBipolarTransistor(SiGeHBT)processfeaturing1micronemitterswithFTupto65GHz.	STANFORD Stanford Microdevices	STANFORD
SGA2386Z	文件：291.91 Kbytes Page：6 Pages	DCto5000MHz,CASCADABLESiGeHBTMMICAMPLIFIER	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD

详细参数

型号：
NTE2386
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
POWER MOSFET N-CHANNEL 600V ID=6.2A TO-3 CASE HIGH SPEED SWITCH ENHANCEMENT MODE
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) TO-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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