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NTE2524	文件：22.91 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Complementary Transistors High Current Switch Features: •LowCollector–EmitterSaturationVoltage •HighCurrentandHighfT •ExcellentLinearityofhFE •FastSwitchingTime	NTE NTE Electronics	NTE
PTZTE2524B	文件：154.34 Kbytes Page：5 Pages	Smallpowermoldtype.(PMDS)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RFSA2524	文件：1.41731 Mbytes Page：13 Pages	SERIALCONTROLLEDDIGITALSTEPATTENUATOR50MHzTO4000MHz,5-BIT,1dBLSB	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFSA2524SQ	文件：1.41731 Mbytes Page：13 Pages	SERIALCONTROLLEDDIGITALSTEPATTENUATOR50MHzTO4000MHz,5-BIT,1dBLSB	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFSA2524SR	文件：1.41731 Mbytes Page：13 Pages	SERIALCONTROLLEDDIGITALSTEPATTENUATOR50MHzTO4000MHz,5-BIT,1dBLSB	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
SC2524	文件：260.839 Kbytes Page：2 Pages	25AMPSOZACELL	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
SG2524	文件：253.11 Kbytes Page：6 Pages	REGULATINGPULSEWIDTHMODULATOR	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
SG2524	文件：521.39 Kbytes Page：20 Pages	REGULATINGPULSE-WIDTHMODULATORS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
SG2524	文件：93.12 Kbytes Page：9 Pages	REGULATINGPULSEWIDTHMODULATORS DESCRIPTION TheSG2524,andSG3524incorporateonasinglemonolithicchipallthefunctionrequiredfortheconstructionofregulatingpowersuppiesinvertersorswitchingregulators.Theycanalsobeusedasthecontrolelementforhighpower-outputapplications.TheSG3524familywasdesigned	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
SG2524	文件：82.72 Kbytes Page：6 Pages	REGULATINGPULSEWIDTHMODULATOR DESCRIPTION Thismonolithicintegratedcircuitcontainsallthecontrolcircuitryforaregulatingpowersupplyinverterorswitchingregulator.Includedina16-pindual-in-linepackageisthevoltagereference,erroramplifier,oscillator,pulsewidthmodulator,pulsesteeringflip-flop,duala	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
NTE2524
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR NPN 50V T
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 50V TO-251
功能描述：
T-NPN-SI HI CURRENT SW
功能描述：
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 50V TO-251; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
50V; Transition Frequency Typ
ft：
180MHz; Power Dissipation
Pd：
1W; DC Collector
Current：
8A; DC Current Gain
hFE：
100; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Trans GP BJT NPN 50V 8A 3-Pin(3+Tab)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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