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NTE2382	文件：26.02 Kbytes Page：3 Pages	MOSFET N-Channel Enhancement Mode, High Speed Switch (Compl to NTE2383) Description: The NTE2382 is a MOS power N–Channel FET in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers. Features: • Lower RDS(ON) • Improved Inductive Ruggedness • Fast 文件：26.02 Kbytes 页数：3 Pages	NTE	NTE
NTE2382	文件：300 bytes Page：1 Pages	Numeric Listing	NTE	NTE
PFP2382	文件：27.48 Kbytes Page：1 Pages	RBK POZIPAN AB STAP A2 6X1.1/4 PK100 文件：27.48 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PP2382	文件：271.37 Kbytes Page：4 Pages	Heat Shrink Tubing 文件：271.37 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
S2382	文件：152.04 Kbytes Page：4 Pages	Si APD Low bias operation, for 800 nm band 文件：152.04 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU

型号：
NTE2382
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
POWER MOSFET N-CHANNEL 100V ID=8A TO-220 CASE HIGH SPEED SWITCH ENHANCEMENT MODE
功能描述：
Bulk
功能描述：
N CHANNEL MOSFET 100V 9.2A TO-220
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 100V, 9.2A TO-220
功能描述：
MOSFET-PWR N-CH HI SPEED
功能描述：
TO-220 N-CH 100V 8A
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 100V, 9.2A TO-220; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
9.2A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
270mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220

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