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NTE2380 | Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch Description: The NTE2380 (N–Ch) and NTE2381 (P–Ch) are complementary TMOS power FETs in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers. Features: • Silicon Gate for Fast Switch 文件:29.58 Kbytes 页数:3 Pages | NTE | NTE | |
NTE2380 | N-Channel Selector Guide | NTE | NTE | |
Precision, High-Speed Transimpedance Amplifier 文件:362.72 Kbytes 页数:18 Pages | BURR-BROWN | BURR-BROWN | ||
Precision, High-Speed Transimpedance Amplifier FEATURES > 1MHz TRANSIMPEDANCE BANDWIDTH EXCELLENT LONG-TERM VOS STABILITY BIAS CURRENT: 50pA (max) OFFSET VOLTAGE: 25μV (max) DYNAMIC RANGE: 4 to 5 Decades DRIFT: 0.1μV/°C (max) GAIN BANDWIDTH: 90MHz QUIESCENT CURRENT: 7.5mA SUPPLY RANGE: 2.7V to 5.5V SINGLE AND DUAL VERSIONS MicroSize 文件:655.51 Kbytes 页数:26 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
Precision, High-Speed Transimpedance Amplifier 文件:695.2 Kbytes 页数:22 Pages | TI 德州仪器 | TI |
详细参数
- 型号:
NTE2380
- 制造商:
NTE Electronics
- 功能描述:
POWER MOSFET N-CHANNEL 500V ID=2A TO-220 CASE HIGH SPEED SWITCH ENHANCEMENT MODE
- 功能描述:
N CHANNEL MOSFET 500V 2.5A TO-220
- 功能描述:
N CHANNEL MOSFET, 500V, 2.5A TO-220
- 功能描述:
MOSFET-PWR N-CH HI SPEED
- 功能描述:
N CHANNEL MOSFET, 500V, 2.5A TO-220; Transistor
- Polarity:
N Channel; Continuous Drain Current
- Id:
2.5A; Drain Source Voltage
- Vds:
500V; On Resistance
- Rds(on):
3ohm; Rds(on) Test Voltage
- Vgs:
10V; Threshold Voltage Vgs
- Typ:
4V ;RoHS
- Compliant:
Yes
- 功能描述:
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
48000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
2022+ |
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全新原装 货期两周 |
询价 | ||||
NTE |
23+ |
65480 |
询价 | ||||
PHm9138 |
26+ |
TO-3P |
890000 |
一级总代理商原厂原装大批量现货
一站式服务 |
询价 | ||
NTE |
23+ |
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NTE ELECTRONICS |
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23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
NTE |
2017+ |
SOT-23 |
39000 |
原装正品,诚信经营 |
询价 |
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