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NTE2380	文件：29.58 Kbytes Page：3 Pages	Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch Description: The NTE2380 (N–Ch) and NTE2381 (P–Ch) are complementary TMOS power FETs in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers. Features: • Silicon Gate for Fast Switch 文件：29.58 Kbytes 页数：3 Pages	NTE	NTE
NTE2380	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel Selector Guide	NTE	NTE
OPA2380	文件：362.72 Kbytes Page：18 Pages	Precision, High-Speed Transimpedance Amplifier 文件：362.72 Kbytes 页数：18 Pages	BURR-BROWN	BURR-BROWN
OPA2380	文件：655.51 Kbytes Page：26 Pages	Precision, High-Speed Transimpedance Amplifier FEATURES > 1MHz TRANSIMPEDANCE BANDWIDTH EXCELLENT LONG-TERM VOS STABILITY BIAS CURRENT: 50pA (max) OFFSET VOLTAGE: 25μV (max) DYNAMIC RANGE: 4 to 5 Decades DRIFT: 0.1μV/°C (max) GAIN BANDWIDTH: 90MHz QUIESCENT CURRENT: 7.5mA SUPPLY RANGE: 2.7V to 5.5V SINGLE AND DUAL VERSIONS MicroSize 文件：655.51 Kbytes 页数：26 Pages	TI 德州仪器	TI
OPA2380AIDGKR	文件：695.2 Kbytes Page：22 Pages	Precision, High-Speed Transimpedance Amplifier 文件：695.2 Kbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI

型号：
NTE2380
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
POWER MOSFET N-CHANNEL 500V ID=2A TO-220 CASE HIGH SPEED SWITCH ENHANCEMENT MODE
功能描述：
N CHANNEL MOSFET 500V 2.5A TO-220
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 500V, 2.5A TO-220
功能描述：
MOSFET-PWR N-CH HI SPEED
功能描述：
N CHANNEL MOSFET, 500V, 2.5A TO-220; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
2.5A; Drain Source Voltage
Vds：
500V; On Resistance
Rds(on)：
3ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220

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