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NTE2381	文件：29.58 Kbytes Page：3 Pages	Complementary Silicon Gate MOSFETs Enhancement Mode, High Speed Switch Description: The NTE2380 (N–Ch) and NTE2381 (P–Ch) are complementary TMOS power FETs in a TO220 type package designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid, and relay drivers. Features: • Silicon Gate for Fast Switch 文件：29.58 Kbytes 页数：3 Pages	NTE	NTE
NTE2381	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-Channel Selector Guide	NTE	NTE
OPA2381	文件：489.69 Kbytes Page：19 Pages	Precision, Low Power, 18MHz Transimpedance Amplifier 文件：489.69 Kbytes 页数：19 Pages	BURR-BROWN	BURR-BROWN
OPA2381	文件：997.65 Kbytes Page：24 Pages	Precision, Low Power, 18MHz Transimpedance Amplifier 文件：997.65 Kbytes 页数：24 Pages	TI 德州仪器	TI

详细参数

型号：
NTE2381
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
Bulk
功能描述：
P CHANNEL MOSFET -500V 2A TO-220
功能描述：
P CHANNEL MOSFET, -500V, 2A, TO-220
功能描述：
MOSFET-PWR P-CH HI SPEED
功能描述：
P CHANNEL MOSFET, -500V, 2A, TO-220; Transistor
Polarity：
P Channel; Continuous Drain Current
Id：
2A; Drain Source Voltage
Vds：
500V; On Resistance
Rds(on)：
6ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
6V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4.5V; No. of
Pins：
3;RoHS
Compliant：
Yes
功能描述：
Trans MOSFET P-CH 500V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220

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