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NTE2515	文件：22.79 Kbytes Page：2 Pages	Silicon Complementary Transistors High Current Switch Features: LowCollectorEmitterSaturationVoltage HighGain–BandwidthProduct ExcellentLinearityofhFE FastSwitchingTime Applications: DisplayDrivers HighSpeedInverters Converters	NTE NTE Electronics	NTE
PBSS2515	文件：69.97 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCEsatNPNdoubletransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •High	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515E	文件：242.93 Kbytes Page：13 Pages	15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515F	文件：66.92 Kbytes Page：8 Pages	15VlowVCEsatNPNtransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSC-89(SOT490)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515F. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapabilities •Improvedthermalbehaviourduetoflatleads. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandmuting •Lowf	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515M	文件：355.63 Kbytes Page：10 Pages	15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiencyleadingtoreducedheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement: –DC-DCconverter –Supplylineswitching –Batterycharg	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515MB	文件：1.14939 Mbytes Page：12 Pages	15V,0.5ANPNlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515VPN	文件：387.31 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCE(sat)NPN/PNPtransistor FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6×1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •Improvedthermalbehaviourduetoflatlead •ReplacestwoSC75/SC89packagedlowVCEsattrans	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515VS	文件：69.97 Kbytes Page：12 Pages	15VlowVCEsatNPNdoubletransistor DESCRIPTION NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS. FEATURES •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplanarityduetostraightleads •Lowcollector-emittersaturationvoltage •High	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS2515VS	文件：201.84 Kbytes Page：9 Pages	15VlowVCEsatNPNdoubletransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatdoubletransistorinaSOT666ultrasmallandflatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS3515VS 2.Featuresandbenefits •300mWtotalpowerdissipation •Verysmall1.6x1.2mmultrathinpackage •Excellentcoplana	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS2515YPN	文件：99.38 Kbytes Page：11 Pages	15VlowVCE(sat)NPN/PNPtransistor DESCRIPTION NPN/PNPlowVCEsattransistorpairinaSC-88plasticpackage. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Highcurrentcapability •ReplacestwoSC-70packagedlowVCEsattransistorson samePCBarea •ReducesrequiredPCBarea •Reducedpickandplacecosts. APP	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

详细参数

型号：
NTE2515
制造商：
NTE Electronics
功能描述：
Trans GP BJT NPN 100V 8A 3-Pin(3+Tab)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
现代芯城（深圳）科技有限公司	NTE2517		24+	N/A	46000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
上海金庆电子技术有限公司	NTE252		新		35	全新原装货期两周	询价
上海市鑫鸿达电子	NTE252		2022+		31	全新原装货期两周	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	NTE2543	NTE	23+		65480		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NTE2546	NTE	23+		39300	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司	NTE2548	ON/安森美	SOT252	22+	6000	十年配单,只做原装	询价

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