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IJ1N10DDH	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IJ1N10DDS	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IJ1N10DEH	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IJ1N10DES	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IJ1N10DGH	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IJ1N10DGS	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
MMFT1N10	文件：236.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERTMOSFET1AMP100VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMFT1N10E	文件：236.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERTMOSFET1AMP100VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
RFL1N10	文件：148.22 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFL1N10	文件：96.15 Kbytes Page：2 Pages	1A,180Vand200V,3.65Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

技术参数

Channel：
Single N
BVDSS(V)：
100
VGS(±V)：
20
ID(A)：
4.5
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
110
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
130
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
13
CissTyp.(pF)：
645

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	EMBA1N10Q	EMC/杰力	25+	SOT-223	34494	EMC/杰力全新特价EMBA1N10Q即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳兆威电子有限公司	EMBA1N10Q	EMC杰力	23+	SOT-223	86764	原装正品现货	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	EMBA1N10Q	EMC杰力	24+	NA/	15320	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
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更多EMBA1N10Q供应商更新时间2025-7-28 14:14:00

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