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MMFT1N10	文件：236.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMFT1N10E	文件：236.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
CCF1N10	文件：214.22 Kbytes Page：2 Pages	chipfuse	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
CCF1N10TTE	文件：214.22 Kbytes Page：2 Pages	chipfuse	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
EMBA1N10Q	文件：202.03 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)110mΩ ID4.5A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMDA1N10A	文件：228.68 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)110mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMDA1N10F	文件：204.44 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)110mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
IJ1N10ACH	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IJ1N10ACS	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT
IJ1N10ADH	文件：1.00722 Mbytes Page：2 Pages	EMI/EMCFILTER Features -Ideallysuitedforproductsthatmustconformtopart 15,FCCregulations -Metalcasedminiaturetypewithhighperformance -MeetovervoltagecategoryIIofIEC60664andcomply with[EC60950 -UsesIECconnectorthatmeetsthesafetystandards fromcertificationbodies -Bo	DIT DONG IL TECHNOLOGY LTD.	DIT

详细参数

型号：
MMFT1N10
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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