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MMFT1N10	文件：236.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMFT1N10E	文件：236.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
RFL1N10	文件：148.22 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFL1N10	文件：96.15 Kbytes Page：2 Pages	1A,180Vand200V,3.65Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFL1N10	文件：30.55 Kbytes Page：4 Pages	1A,80Vand100V,1.200Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFL1N10L	文件：29.9 Kbytes Page：5 Pages	1A,100V,1.200Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFET Description ThisisanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthrougha	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RJ1N10BBH	文件：2.54298 Mbytes Page：13 Pages	Nch80V235APowerMOSFET Features 1)Lowon-resistance 2)Highpowermoldpackage (TO263AB) 3)Pb-freeplating;RoHScompliant 4)HalogenFree 5)100%RgandUIStested Application Switching Motordrives DC/DCconverter	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
MMFT1N10
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
MEDIUM POWER TMOS FET 1 AMP 100 VOLTS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市坤融电子科技有限公司	MMFT1N10	MOTOROLA/摩托罗拉	24+	TO-223	10000	只做原厂渠道可追溯货源	询价
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更多MMFT1N10供应商更新时间2025-7-17 11:04:00

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