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EMB28C03G	文件：216.76 Kbytes Page：8 Pages	N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 30V ‐30V RDSON (MAX.) 28mΩ 40mΩ ID 7A ‐6A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：216.76 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB3	文件：447.56 Kbytes Page：7 Pages	丝印：B3；Package：EMT6；PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors General purpose (dual digital transistors) Features 1) Two DTA114T chips in a EMT or UMT or SMT package. 文件：447.56 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB3	文件：57.81 Kbytes Page：2 Pages	丝印：B3；Package：EMT6；General purpose (dual digital transistors) Features 1) Two DTA143T chips in a EMT6 or UMT6 or SMT6 package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. Application INVERTER, INTERFACE, DR 文件：57.81 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB3	文件：551.92 Kbytes Page：1 Pages	DIGITAL TRANSISTOR (PNP PNP) FEATURES ● Two DTA143T chips in a package ● Transistor elements are independent, eliminating interference. ● Mounting cost and area can be cut in half. 文件：551.92 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
EMB3	文件：3.25821 Mbytes Page：3 Pages	Dual Digital Transistors (PNPPNP) Dual Digital Transistors (PNP+PNP) FEATURES ● Two DTA143T chips in a package ● Transistor elements are independent, eliminating interference ● Mounting cost and area can be cut in half 文件：3.25821 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
EMB30P03A	文件：215.19 Kbytes Page：6 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐30V RDSON (MAX.) 30mΩ ID ‐22A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：215.19 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB30P03VAT	文件：183.73 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐30V RDSON (MAX.) 30mΩ ID ‐8A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：183.73 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB32A03G	文件：194.76 Kbytes Page：5 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 32mΩ ID 6.5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：194.76 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB32C03G	文件：216.63 Kbytes Page：8 Pages	N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 30V ‐30V RDSON (MAX.) 32mΩ 40mΩ ID 6.5A ‐6A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：216.63 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB32N03P	文件：179.53 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 35mΩ ID 5.5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：179.53 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

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技术参数

Channel：
Single-N
BVDSS(V)：
30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
200
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
1.2
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
1.6
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
174
CissTyp.(pF)：
11245

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	EMBMOD166A831116	INTL	05+	原厂原装	4221	只做全新原装真实现货供应	询价
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