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EMB32A03G

Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 32mΩ ID 6.5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

文件:194.76 Kbytes 页数:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

EMB32A03G

Power MOSFETs-Dual

Excelliance MOS

杰力科技

EMC1047-1-AIZL-TR

MSOP-10

MICROCHIP/微芯

上传:深圳市明嘉莱科技有限公司

MICROCHIP/微芯

EMC1412-A-AC3

DFN

MICRIOCHI

EMC1413-1-AIZL-TR

MSOP-10

MICROCHIP/微芯

上传:深圳市明嘉莱科技有限公司

MICROCHIP/微芯

技术参数

  • Channel:

    Dual N

  • BVDSS(V):

    30

  • VGS(±V):

    20

  • ID(A):

    6.5

  • RDS(ON)(10V) Max.(mΩ):

    35

  • RDS(ON)(5V) Max.(mΩ):

     

  • RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ):

    55

  • RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ):

     

  • Qg(10V)Typ.(nC):

    7.1

  • CissTyp.(pF):

    323

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更多EMB32A03G供应商 更新时间2025-11-22 17:05:00