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EMB3	文件：57.81 Kbytes Page：2 Pages	丝印：B3；Package：EMT6；General purpose (dual digital transistors) Features 1) Two DTA143T chips in a EMT6 or UMT6 or SMT6 package. 2) Mounting possible with EMT3 or UMT3 or SMT3 automatic mounting machines. 3) Transistor elements are independent, eliminating interference. 4) Mounting cost and area can be cut in half. Application INVERTER, INTERFACE, DR 文件：57.81 Kbytes 页数：2 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB3	文件：447.56 Kbytes Page：7 Pages	丝印：B3；Package：EMT6；PNP -100mA -50V Complex Digital Transistors General purpose (dual digital transistors) Features 1) Two DTA114T chips in a EMT or UMT or SMT package. 文件：447.56 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB3	文件：551.92 Kbytes Page：1 Pages	DIGITAL TRANSISTOR (PNP PNP) FEATURES ● Two DTA143T chips in a package ● Transistor elements are independent, eliminating interference. ● Mounting cost and area can be cut in half. 文件：551.92 Kbytes 页数：1 Pages	HTSEMI 金誉半导体	HTSEMI
EMB3	文件：3.25821 Mbytes Page：3 Pages	Dual Digital Transistors (PNPPNP) Dual Digital Transistors (PNP+PNP) FEATURES ● Two DTA143T chips in a package ● Transistor elements are independent, eliminating interference ● Mounting cost and area can be cut in half 文件：3.25821 Mbytes 页数：3 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
EMB3	文件：1.28804 Mbytes Page：10 Pages	丝印：B3；Package：EMT6；General purpose Dual digital transistor 文件：1.28804 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB3	文件：70.76 Kbytes Page：3 Pages	丝印：B3；Package：EMT6；General purpose (dual digital transistors) 文件：70.76 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
EMB30P03A	文件：215.19 Kbytes Page：6 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐30V RDSON (MAX.) 30mΩ ID ‐22A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：215.19 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB30P03VAT	文件：183.73 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐30V RDSON (MAX.) 30mΩ ID ‐8A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：183.73 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB32A03G	文件：194.76 Kbytes Page：5 Pages	Dual N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 30V RDSON (MAX.) 32mΩ ID 6.5A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：194.76 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB32C03G	文件：216.63 Kbytes Page：8 Pages	N & P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: N‐CH P‐CH BVDSS 30V ‐30V RDSON (MAX.) 32mΩ 40mΩ ID 6.5A ‐6A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：216.63 Kbytes 页数：8 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE

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技术参数

封装：
EMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-563
JEITA Package：
SC-107C
Number of terminal：
6
Polarity：
PNP+PNP
Supply voltage VCC 1[V]：
-50
Collector current Io (Ic) [A]：
-0.1
Input resistance R1 1 [kΩ]：
4.7
Input resistance R1 2 [kΩ]：
4.7
Collector-Emitter voltage VCEO1[V]：
-50
Collector current Io(Ic) [A]：
-0.1
Collector-Emitter voltage VCEO2[V]：
-50
Collector current(continuous) IC2[A]：
-0.1
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Mounting Style：
Surface mount
Equivalent (Single Part)：
DTA143T / DTA143T
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.6x1.6 (t=0.55)

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更多EMB3供应商更新时间2025-12-10 15:13:00

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