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EMB30P03VAT	文件：183.73 Kbytes Page：5 Pages	P?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS ‐30V RDSON (MAX.) 30mΩ ID ‐8A Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：183.73 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMB30P03VAT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFETs-P Channel	Excelliance MOS 杰力科技	Excelliance MOS
HM30P03Q	文件：1.28827 Mbytes Page：4 Pages	-30VDS竊뤒?0VGS竊?30A(ID) P-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.28827 Mbytes 页数：4 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
KI30P03DFN	文件：1.78232 Mbytes Page：6 Pages	P-Channel MOSFET 文件：1.78232 Mbytes 页数：6 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
SF30P03C	文件：679.5 Kbytes Page：2 Pages	Glass Passivated Super Fast Recovery Rectifier 文件：679.5 Kbytes 页数：2 Pages	YENYO 元耀科技	YENYO

技术参数

Channel：
Single P
BVDSS(V)：
-30
VGS(±V)：
20
ID(A)：
-8
RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
30
RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
50
RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
Qg(10V)Typ.(nC)：
13.3
CissTyp.(pF)：
910

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更多EMB30P03VAT供应商更新时间2025-11-24 15:07:00

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