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DXT651Q	文件：385.62 Kbytes Page：6 Pages	60V NPN LOW SATURATION POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Features • BVCEO > 60V • IC = 3A High Continuous Collector Current • ICM up to 6A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：385.62 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT651Q-13	文件：385.62 Kbytes Page：6 Pages	60V NPN LOW SATURATION POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Features • BVCEO > 60V • IC = 3A High Continuous Collector Current • ICM up to 6A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：385.62 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT651Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	transistor-bjt-master-table This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. BVCEO > 60V\nIC = 3A High Continuous Collector Current\nICM up to 6A Peak Pulse Current\n2W Power Dissipation\nLow Saturation Voltage VCE(SAT) < 300mV @ 1A\nComplementary PNP Type: DXT751Q;	Diodes 美台半导体	Diodes
DXT651Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A SOT89-3	PAM 龙鼎微	PAM

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
Yes
Product Type：
NPN
IC：
3 A
ICM：
6 A
PD：
1 W
hFE：
100 Min
hFE (@ IC)：
0.5 A
hFE (Min 2)：
40
hFE (@ IC2)：
2 A
VCE (SAT) Max：
300 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/100
VCE (SAT) (Max.2)：
600 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)：
3/300
fT：
200 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT89

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