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DXT651Q-13

60V NPN LOW SATURATION POWER TRANSISTOR

Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Features • BVCEO > 60V • IC = 3A High Continuous Collector Current • ICM up to 6A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT)

文件:385.62 Kbytes 页数:6 Pages

DIODES

美台半导体

DXT651Q-13

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 3A SOT89-3

DIODES

美台半导体

DXTN26070CY-13

SOT-89(SOT-89-3)

DIODES/美台

DXW21BN7511SL

SMD

产品属性

  • 产品编号:

    DXT651Q-13

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 300mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    140MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-89-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 3A SOT89-3

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多DXT651Q-13供应商 更新时间2025-12-10 23:01:00