DXT651Q中文资料transistor-bjt-master-table数据手册Diodes规格书
DXT651Q规格书详情
描述 Description
This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications.
特性 Features
BVCEO > 60V
IC = 3A High Continuous Collector Current
ICM up to 6A Peak Pulse Current
2W Power Dissipation
Low Saturation Voltage VCE(SAT) < 300mV @ 1A
Complementary PNP Type: DXT751Q
应用 Application
Load Management Functions
Motor Control
DC-DC / DC-AC Converters
简介
DXT651Q属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的DXT651Q晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：DXT651Q
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：Yes
- Product Type
：NPN
- IC
：3 A
- ICM
：6 A
- PD
：1 W
- hFE
：100 Min
- hFE (@ IC)
：0.5 A
- hFE (Min 2)
：40
- hFE (@ IC2)
：2 A
- VCE (SAT) Max
：300 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)
：1/100
- VCE (SAT) (Max.2)
：600 mV
- VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A)
：3/300
- fT
：200 MHz
- RCE(SAT)
：N/A mΩ
- Packages
：SOT89
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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