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DXT5616U中文资料transistor-bjt-master-table数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DXT5616U

参数属性

DXT5616U 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1A TO126

功能描述

transistor-bjt-master-table
TRANS NPN 80V 1A TO126

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-26 22:59:00

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DXT5616U规格书详情

应用 Application

Medium Power Switching or Amplification Applications
\t
\t\tAF driver and output stages


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\t\t\t\tProduct Specifications

简介

DXT5616U属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的DXT5616U晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DXT5616U

  • 生产厂家

    :Diodes

  • AutomotiveCompliantPPAP

    :No

  • ProductType

    :NPN

  • IC

    :1A

  • ICM

    :2A

  • PD

    :20W

  • hFE

    :100Min

  • hFE(@IC)

    :0.15A

  • hFE(Min2)

    :N/A

  • hFE(@IC2)

    :0.5A

  • VCE(SAT)Max

    :500mV

  • VCE(SAT)(@IC/IB)

    :1/100A/mA

  • VCE(SAT)(Max.2)

    :N/AmV

  • VCE(SAT)(@IC/IB2)

    :3/300A/mA

  • fT

    :150

  • RCE(SAT)

    :N/AmΩ

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