DXT5616U中文资料transistor-bjt-master-table数据手册Diodes规格书

厂商型号 |
DXT5616U |
参数属性 | DXT5616U 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 1A TO126 |
功能描述 | transistor-bjt-master-table |
封装外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
中文名称 | 美台半导体 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 22:59:00 |
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DXT5616U规格书详情
应用 Application
Medium Power Switching or Amplification Applications
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\t\tAF driver and output stages
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\t\t\t\tProduct Specifications
简介
DXT5616U属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的DXT5616U晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:DXT5616U
- 生产厂家
:Diodes
- AutomotiveCompliantPPAP
:No
- ProductType
:NPN
- IC
:1A
- ICM
:2A
- PD
:20W
- hFE
:100Min
- hFE(@IC)
:0.15A
- hFE(Min2)
:N/A
- hFE(@IC2)
:0.5A
- VCE(SAT)Max
:500mV
- VCE(SAT)(@IC/IB)
:1/100A/mA
- VCE(SAT)(Max.2)
:N/AmV
- VCE(SAT)(@IC/IB2)
:3/300A/mA
- fT
:150
- RCE(SAT)
:N/AmΩ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES(美台) |
24+ |
SOT89 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
DIODES |
2016+ |
TO-126 |
8450 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
25+ |
TO-126 |
54648 |
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DIODES/美台 |
22+ |
SOT89 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
20+ |
TO-126 |
32970 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
20+ |
SOT-89 |
2084 |
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TO-126 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
DIODES/美台 |
15+ |
TO-126 |
4647 |
询价 | |||
BCD |
25+ |
NA |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
21+ |
SOT-89-3 |
8080 |
只做原装,质量保证 |
询价 |