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DXT651	文件：146.15 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 60V • IC = 3A high Continuous Current • Low saturation voltage VCE(sat) 文件：146.15 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT651	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN, 60V, 3A, SOT89	Diodes 美台半导体	Diodes
DXT651-13	文件：146.15 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • BVCEO > 60V • IC = 3A high Continuous Current • Low saturation voltage VCE(sat) 文件：146.15 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT651Q	文件：385.62 Kbytes Page：6 Pages	60V NPN LOW SATURATION POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Features • BVCEO > 60V • IC = 3A High Continuous Collector Current • ICM up to 6A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：385.62 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT651Q-13	文件：385.62 Kbytes Page：6 Pages	60V NPN LOW SATURATION POWER TRANSISTOR Description This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. Features • BVCEO > 60V • IC = 3A High Continuous Collector Current • ICM up to 6A Peak Pulse Current • 2W Power Dissipation • Low Saturation Voltage VCE(SAT) 文件：385.62 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT651_15	文件：191.4 Kbytes Page：6 Pages	60V NPN LOW VCE(sat) TRANSISTOR IN SOT89 文件：191.4 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT651Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	transistor-bjt-master-table This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. BVCEO > 60V\nIC = 3A High Continuous Collector Current\nICM up to 6A Peak Pulse Current\n2W Power Dissipation\nLow Saturation Voltage VCE(SAT) < 300mV @ 1A\nComplementary PNP Type: DXT751Q;	Diodes 美台半导体	Diodes
DXT651-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A SOT89-3	DIODES 美台半导体	DIODES
DXT651Q-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-243AA；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3A SOT89-3	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
DXT651Q
Product Type：
NPN
IC (A)：
3 A
ICM (A)：
6 A
PD (W)：
1 W
hFE (min)：
100 Min
hFE(@ IC)：
0.5 A
hFE(Min 2)：
40
hFE(@ IC2)：
2 A
VCE (SAT)Max (mV)：
300 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/0.1
VCE (SAT)(Max.2)：
600 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
3/300
fT (MHz)：
200 MHz
RCE(SAT)：
N/A mΩ
Packages：
SOT89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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