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DSS4160FDB	文件：460.84 Kbytes Page：7 Pages	DUAL NPN LOW VCE TRANSISTOR 文件：460.84 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS4160FDB-7	文件：460.84 Kbytes Page：7 Pages	DUAL NPN LOW VCE TRANSISTOR 文件：460.84 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS4160FDB	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual NPN, 60V, 1A, DFN2020-6 BVCEO > 60V\nIC = 1A high Continuous Collector Current\nRCE(sat) = 180mΩ for a Low Equivalent On-Resistance\nLow Saturation Voltage VCE(sat) < 220mV @ 1A\nPD up to 2.47W for power demanding applications\nRθJA efficient, 40% lower than SOT26\nLow profile 0.6mm high package for thin applications;	Diodes 美台半导体	Diodes
DSS4160T	文件：327.41 Kbytes Page：7 Pages	60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 Features BVCEO > 60V IC = 1A High Continuous Collector Current ICM = 2A Peak Pulse Current RCE(sat) = 280mΩ for a Low Equivalent On-Resistance Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：327.41 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS4160U	文件：173.45 Kbytes Page：5 Pages	LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(SAT) • Complementary PNP Type Available (DSS5160U) • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free By Design/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2) 文件：173.45 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DSS4160V	文件：120.21 Kbytes Page：5 Pages	LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Type Available (DSS5160V) • Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(SAT) • Surface Mount Package Suited for Automated Assembly • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 文件：120.21 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Compliance (Only Automotive supports PPAP)：
No
Product Type：
NPN + NPN
IC (A)：
1 A
ICM (A)：
1.5 A
PD (W)：
2.47 W
hFE (min)：
290 Min
hFE(@ IC)：
0.1 A
hFE(Min 2)：
150
hFE(@ IC2)：
0.5 A
VCE (SAT)Max (mV)：
240 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)：
1/50
VCE (SAT)(Max.2)：
220 mV
VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/mA)：
1/50
fT (MHz)：
90 MHz
RCE(SAT)：
240 mΩ
Packages：
U-DFN2020-6 (Type B)

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