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DSS4160T

60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

Features BVCEO>60V IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ICM=2APeakPulseCurrent RCE(sat)=280mΩforaLowEquivalentOn-Resistance LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DSS4160T-7

Marking:ZN9;Package:SOT23;60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

Features BVCEO>60V IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ICM=2APeakPulseCurrent RCE(sat)=280mΩforaLowEquivalentOn-Resistance LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DSS4160TQ-7

Marking:ZN9;Package:SOT23;60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

Features BVCEO>60V IC=1AHighContinuousCollectorCurrent ICM=2APeakPulseCurrent RCE(sat)=280mΩforaLowEquivalentOn-Resistance LowSaturationVoltageVCE(sat)

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DSS4160T_15

60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DSS4160T-7

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子(上海)有限公司

DSS4160TQ-7

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

PAMDiodes Incorporated

龙鼎微龙鼎微电子(上海)有限公司

详细参数

  • 型号:

    DSS4160T

  • 功能描述:

    MOSFET SS Low Sat Transisto SOT23 T&R 3K

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
DIODES/美台
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SOT23
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SOT-23
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DIODES
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SOT23
253223
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更多DSS4160T供应商 更新时间2025-7-21 15:02:00