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DSS4160T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

DSS4160T

参数属性

DSS4160T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

功能描述

60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23
TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

327.41 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

DIODES

中文名称

美台半导体

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数据手册

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更新时间

2025-10-6 14:25:00

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DSS4160T规格书详情

DSS4160T属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由美台半导体制造生产的DSS4160T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

特性 Features

BVCEO > 60V

IC = 1A High Continuous Collector Current

ICM = 2A Peak Pulse Current

RCE(sat) = 280mΩ for a Low Equivalent On-Resistance

Low Saturation Voltage VCE(sat) < 280mV @ 1A

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

PPAP Capable (Note 4)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    DSS4160TQ-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    280mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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