首页>DSS4160T>规格书详情

DSS4160T分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

DSS4160T
厂商型号

DSS4160T

参数属性

DSS4160T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

功能描述

60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

327.41 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES

中文名称

Diodes Incorporated官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2025-5-19 23:00:00

人工找货

DSS4160T价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

DSS4160T规格书详情

Features

BVCEO > 60V

IC = 1A High Continuous Collector Current

ICM = 2A Peak Pulse Current

RCE(sat) = 280mΩ for a Low Equivalent On-Resistance

Low Saturation Voltage VCE(sat) < 280mV @ 1A

Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

PPAP Capable (Note 4)

产品属性

  • 产品编号:

    DSS4160TQ-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    280mV @ 100mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 500mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    150MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
DIODES(美台)
24+
SOT23
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
询价
Diodes(美台)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
询价
DIODES
2016+
SOT23
8800
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
询价
DIODES
24+
SOT23
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
DIODES
1152+
SOT23
2230
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
DIODES/美台
25+
SOT-23
12060
原装正品,假一罚十!
询价
DIODES
23+
SOT23
253223
原装正品现货
询价
DIODES/美台
22+
SOT23
25000
只有原装原装,支持BOM配单
询价
DIODES/美台
22+
SOT23
30000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
询价
DIODES/美台
2023+
SOT23
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
询价