DSS4160T中文资料PDF规格书
厂商型号 |
DSS4160T |
参数属性 | DSS4160T 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1A SOT23-3 |
功能描述 | 60V NPN LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 |
文件大小 |
327.41 Kbytes |
页面数量 |
7 页 |
生产厂商 | Diodes Incorporated |
企业简称 |
DIODES【达尔科技】 |
中文名称 | 达尔科技官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-18 12:11:00 |
DSS4160T规格书详情
Features
BVCEO > 60V
IC = 1A High Continuous Collector Current
ICM = 2A Peak Pulse Current
RCE(sat) = 280mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
Low Saturation Voltage VCE(sat) < 280mV @ 1A
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
PPAP Capable (Note 4)
产品属性
- 产品编号:
DSS4160TQ-7
- 制造商:
Diodes Incorporated
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
280mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 500mA,5V
- 频率 - 跃迁:
150MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23-3
- 描述:
TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
23+ |
SOT-23 |
54258 |
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DIODES/美台 |
21+ |
SOT23 |
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DIODES/美台 |
2023 |
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DIODES |
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SOT23 |
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23+ |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT-23 |
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DiodesZetex |
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DIODES/美台 |
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SOT23 |
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DIODES/美台 |
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NA |
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SKSEMI |
22+ |
SOT-23 |
9000 |
原装正品 |
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