DSS4160V分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DSS4160V |
| 参数属性 | DSS4160V 封装/外壳为SOT-563，SOT-666；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 60V 1A SOT563 |
| 功能描述 | LOW VCE(SAT) NPN SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 文件大小 |
120.21 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES【美台半导体】 |
| 中文名称 | 美台半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 10:46:00 |
| 人工找货 | DSS4160V价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DSS4160V规格书详情
特性 Features
• Epitaxial Planar Die Construction
• Complementary PNP Type Available (DSS5160V)
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage, VCE(SAT)
• Surface Mount Package Suited for Automated Assembly
• Ultra-Small Surface Mount Package
• Lead Free/RoHS Compliant (Note 1)
• Green Device (Note 2)
产品属性
- 产品编号：
DSS4160V-7
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 100mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 500mA，5V
- 频率 - 跃迁：
150MHz
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-563，SOT-666
- 供应商器件封装：
SOT-563
- 描述：
TRANS NPN 60V 1A SOT563
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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