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DMN63D1L	文件：534.82 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：534.82 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1LT	文件：419.29 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AE 文件：419.29 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1LT-13	文件：419.29 Kbytes Page：6 Pages	丝印：63D；Package：SOT-523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AE 文件：419.29 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1LT-7	文件：419.29 Kbytes Page：6 Pages	丝印：63D；Package：SOT-523；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features  Low On-Resistance: RDS(ON)  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  Qualified to AE 文件：419.29 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1LV	文件：360.89 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected up to 2kV • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 St 文件：360.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1LV-13	文件：360.89 Kbytes Page：6 Pages	丝印：D63；Package：SOT563；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected up to 2kV • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 St 文件：360.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1LV-7	文件：360.89 Kbytes Page：6 Pages	丝印：D63；Package：SOT563；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Dual N-Channel MOSFET • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low Input/Output Leakage • ESD Protected up to 2kV • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 St 文件：360.89 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1L-13	文件：534.82 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：534.82 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1L-7	文件：534.82 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：534.82 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1LDW	文件：537.37 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：537.37 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.38 A
PD @ TA = +25°C：
0.56 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.3 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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更多DMN63D1L供应商更新时间2025-10-11 19:24:00

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