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DMN63D1LDW

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN63D1LDW-13

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN63D1LDW-7

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN63D1LDW

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Dual N-Channel MOSFET\nLow On-Resistance\nLow Gate Threshold Voltage\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nUltra-Small Surface Mount Package\nESD Protected Gate;

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N+N

  • ESD Diodes:

    Yes

  • VDS:

    60 V

  • VGS:

    20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    0.25 A

  • PD @ TA = +25°C:

    0.39 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    2000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    3000 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    2.5 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    0.3 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    SOT363

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更多DMN63D1LDW供应商 更新时间2025-10-8 10:04:00