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DMN63D1LDW-13	文件：537.37 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：537.37 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1LDW-7	文件：537.37 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：537.37 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1LW	文件：532.09 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：532.09 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1LW-13	文件：532.09 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：532.09 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1LW-7	文件：532.09 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：532.09 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN63D1L	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nESD Protected Up To 2kV;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN63D1LT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low On-Resistance: RDS(ON)\nLow Gate Threshold Voltage\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nESD Protected Gate;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN63D1LV	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Dual N-Channel MOSFET\nLow On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage\nESD Protected up to 2kV;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
60 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
0.38 A
PD @ TA = +25°C：
0.56 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
2000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
3000 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
0.3 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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更多DMN63D1L供应商更新时间2025-10-12 9:04:00

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