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DMN52D0UV	文件：943.83 Kbytes Page：8 Pages	50V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N Channel MOSFET  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Haloge 文件：943.83 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN52D0UV-13	文件：943.83 Kbytes Page：8 Pages	丝印：K52；Package：SOT563；50V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N Channel MOSFET  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Haloge 文件：943.83 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN52D0UV-7	文件：943.83 Kbytes Page：8 Pages	丝印：K52；Package：SOT563；50V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N Channel MOSFET  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Haloge 文件：943.83 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN52D0UVA	文件：588.98 Kbytes Page：8 Pages	50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Haloge 文件：588.98 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN52D0UVA-13	文件：588.98 Kbytes Page：8 Pages	丝印：VAK；Package：SOT563；50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Haloge 文件：588.98 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN52D0UVA-7	文件：588.98 Kbytes Page：8 Pages	丝印：VAK；Package：SOT563；50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Dual N-Channel MOSFET  Low On-Resistance  Very Low Gate Threshold Voltage, 1.0V Max  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Ultra-Small Surface Mount Package  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Haloge 文件：588.98 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN52D0UV	文件：300 bytes Page：1 Pages	50V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. \n\n	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN52D0UVA	文件：300 bytes Page：1 Pages	50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.\n\n	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)：
Standard
Polarity：
N+N
N)：
Y
(V)：
50 V
(±V)：
12 ±V
@TA = +25°C (A)：
0.48@5V A
PD @TA = +25°C (W)：
0.89 W
RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)：
2000@5V mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)：
2500 mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(1.8V)(mΩ)：
4000 mΩ
Min (V)：
0.49 V
Max (V)：
1.2 V
= 4.5V (nC)：
0.8 nC
= 10V (nC)：
1.5 nC
CISS Typ (pF)：
39 pF
(V)：
25 V
Packages：
SOT563

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	DMN52D0UVA-7	Diodes Incorporated	25+	SOT-563 SOT-666	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
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