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K52	文件：965.44 Kbytes Page：2 Pages	型号：BAV199；Package：SOT-23；Plastic-Encapsulate Switching Diode Features FastSwitchingDevice(TRR	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
K52	文件：155.69 Kbytes Page：2 Pages	型号：BAV199；Package：SOT-23；DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliantGreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
K52	文件：44.28 Kbytes Page：2 Pages	型号：BAV199；Package：SOT-23；Introducing Very Low Leakage SOT-23 Diodes: Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •LeadHalogenandAntimonyFree,RoHSCompliantGreenDevice(Notes1and2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
K52	文件：111.47 Kbytes Page：3 Pages	型号：BAV199；Package：SOT-23；DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •VeryLowLeakageCurrent •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
K52	文件：63.6 Kbytes Page：2 Pages	型号：BAV199DW；Package：SOT-363；QUAD SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE Features ●SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion ●VeryLowLeakageCurrent ●TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
K52	文件：468.02 Kbytes Page：4 Pages	型号：BAV199DW-HF；Package：SOT-363；SMD Switching Diodes Features -Fastswitchingspeed. -Verylowleakagecurrent. -Ultra-smallsurfacemountpackage.	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司
K52	文件：943.83 Kbytes Page：8 Pages	型号：DMN52D0UV-13；Package：SOT563；50V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features DualNChannelMOSFET LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage Ultra-SmallSurfaceMountPackage ESDProtected TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) Haloge	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
K52	文件：943.83 Kbytes Page：8 Pages	型号：DMN52D0UV-7；Package：SOT563；50V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features DualNChannelMOSFET LowOn-Resistance VeryLowGateThresholdVoltage,1.0VMax LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage Ultra-SmallSurfaceMountPackage ESDProtected TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) Haloge	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
K52	文件：610.09 Kbytes Page：16 Pages	型号：TS3021ICT；Package：SC70-5；Rail-to-rail 1.8 V high-speed comparator Features •Propagationdelay:38ns •Lowcurrentconsumption:73μA •Rail-to-railinputs •Push-pulloutputs •Supplyoperationfrom1.8to5V •Widetemperaturerange:-40°Cto125°C •HighESDtolerance:5kVHBM,300VMM •SMDpackages •Automotivequalification Applications	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团
K52	文件：1.94958 Mbytes Page：15 Pages	型号：BAV199；Package：SOD-123；Surface Mount Switching Diode Array	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd

详细参数

型号：
K52
功能描述：
DIODE SWITCH 250MW 85V SOT23-3
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> 二极管，整流器 - 阵列
系列：
-
其它有关文件：
STTH10LCD06C View All Specifications
标准包装：
1,000
系列：
- 电压 - 在 If
时为正向(Vf)（最大）：
2V @ 5A 电流 - 在 Vr
时反向漏电：
1µA @ 600V 电流 -
平均整流(Io)（每个二极管）：
5A 电压
-(Vr)（最大）：
600V
反向恢复时间(trr)：
50ns
二极管类型：
标准
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
二极管配置：
1 对共阴极
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：
D2PAK
包装：
带卷(TR)
产品目录页面：
1553(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
497-10107-2

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