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DMN2053UWQ-13	文件：549.85 Kbytes Page：7 Pages	丝印：CI5；Package：SOT323；20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2053UWQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is 文件：549.85 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UWQ-7	文件：549.85 Kbytes Page：7 Pages	丝印：CI5；Package：SOT323；20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2053UWQ is suitable for automotive applications requiring specific change control; this part is 文件：549.85 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UW-TP	文件：1.70885 Mbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET Application + Load/Power Switching + Interfacing Switching. * Logic Level Shift 文件：1.70885 Mbytes 页数：4 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
DMN2053U-13	文件：513.159 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：513.159 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053U-7	文件：513.159 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：513.159 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053U	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2053UFDBQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2053UQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2053UW-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET 8V~24V SOT323	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.5 A
PD @ TA = +25°C：
1.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
29 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
35 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
48 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
91 mΩ
VGS(th) Min. (V)：
0.5 V
VGS (th) Max：
1.2 V
CISS Typ：
414 pF
CISS Condition [@VDS]：
10 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
4.6
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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