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DMN2053UFDBQ	文件：340.86 Kbytes Page：8 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •PCBFootprintof4mm2 •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •LowProfile,0.6mmMaximumHeight •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) •TheDMN2053UFDBQissuitableforautomotiveapplicationsrequirin	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2053UFDBQ-13	文件：340.86 Kbytes Page：8 Pages	Marking：H5；Package：U-DFN2020-6；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •PCBFootprintof4mm2 •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •LowProfile,0.6mmMaximumHeight •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) •TheDMN2053UFDBQissuitableforautomotiveapplicationsrequirin	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2053UFDBQ-7	文件：340.86 Kbytes Page：8 Pages	Marking：H5；Package：U-DFN2020-6；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features •PCBFootprintof4mm2 •LowOn-Resistance •LowInputCapacitance •LowProfile,0.6mmMaximumHeight •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •Halogen-andAntimony-Free.“Green”Device(Note3) •TheDMN2053UFDBQissuitableforautomotiveapplicationsrequirin	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2053UQ	文件：571.77 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN2053UQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificch	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2053UVT	文件：415.95 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Applications Backlighting DC-DCConverters PowerManagementFunctio	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2053UVTQ	文件：472.18 Kbytes Page：7 Pages	DUALN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed LowInput/OutputLeakage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN2053UVTQissuitableforautomotiveapplications requiringspecific	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2053UW	文件：488.19 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET DescriptionandApplications ThisMOSFEThasbeendesignedtominimizetheon-stateresistance (RDS(ON))andyetmaintainsuperiorswitchingperformance,makingit idealforhighefficiencypowermanagementapplications. GeneralPurposeInterfacingSwitch PowerManagementFunctions DC-	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMN2053UWQ	文件：549.85 Kbytes Page：7 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features LowOn-Resistance LowInputCapacitance FastSwitchingSpeed TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) TheDMN2053UWQissuitableforautomotiveapplications requiringspecificchangecontrol;thispartis	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ENA2053	文件：94.13 Kbytes Page：7 Pages	LinearVibratorDriverIC	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EPC2053	文件：968.09 Kbytes Page：6 Pages	EnhancementModePowerTransistor	EPC-CO Efficient Power Conversion Corporation.	EPC-CO

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