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DMN2053U	文件：513.159 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：513.159 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UFDB	文件：481.73 Kbytes Page：8 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  PCB Footprint of 4mm2  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Low Profile, 0.6mm Maximum Height  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i. 文件：481.73 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UFDB-13	文件：481.73 Kbytes Page：8 Pages	丝印：H5；Package：U-DFN2020-6；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  PCB Footprint of 4mm2  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Low Profile, 0.6mm Maximum Height  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i. 文件：481.73 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UFDB-7	文件：481.73 Kbytes Page：8 Pages	丝印：H5；Package：U-DFN2020-6；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  PCB Footprint of 4mm2  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Low Profile, 0.6mm Maximum Height  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i. 文件：481.73 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UFDBQ	文件：340.86 Kbytes Page：8 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • PCB Footprint of 4mm2 • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Low Profile, 0.6mm Maximum Height • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device (Note 3) • The DMN2053UFDBQ is suitable for automotive applications requirin 文件：340.86 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UFDBQ-13	文件：340.86 Kbytes Page：8 Pages	丝印：H5；Package：U-DFN2020-6；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • PCB Footprint of 4mm2 • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Low Profile, 0.6mm Maximum Height • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device (Note 3) • The DMN2053UFDBQ is suitable for automotive applications requirin 文件：340.86 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UFDBQ-7	文件：340.86 Kbytes Page：8 Pages	丝印：H5；Package：U-DFN2020-6；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • PCB Footprint of 4mm2 • Low On-Resistance • Low Input Capacitance • Low Profile, 0.6mm Maximum Height • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen- and Antimony-Free. “Green” Device (Note 3) • The DMN2053UFDBQ is suitable for automotive applications requirin 文件：340.86 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UQ	文件：571.77 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2053UQ is suitable for automotive applications requiring specific ch 文件：571.77 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UQ-13	文件：571.77 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AS2；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2053UQ is suitable for automotive applications requiring specific ch 文件：571.77 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2053UQ-7	文件：571.77 Kbytes Page：7 Pages	丝印：AS2；Package：SOT23；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  The DMN2053UQ is suitable for automotive applications requiring specific ch 文件：571.77 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.5 A
PD @ TA = +25°C：
1.3 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
29 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
35 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
48 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
91 mΩ
VGS(th) Min. (V)：
0.5 V
VGS (th) Max：
1.2 V
CISS Typ：
414 pF
CISS Condition [@VDS]：
10 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
4.6
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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