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DMN2025UFDB-13	文件：485.69 Kbytes Page：8 Pages	丝印：O5；Package：U-DFN2020-6；DUAL 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  0.6mm Profile – Ideal for Low Profile Applications  PCB Footprint of 4mm2  Low Gate Threshold Voltage  Fast Switching Speed  ESD Protected Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive appl 文件：485.69 Kbytes 页数：8 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMC2025UFDB-13	文件：602.71 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Features PCB Footprint of 4mm2 Low On-Resistance Low Input Capacitance Low Profile, 0.6mm Maximum Height ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) For automotive applications requiring specific change contro 文件：602.71 Kbytes 页数：11 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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更多DMN2025UFDB-13供应商更新时间2026-1-20 16:01:00