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DMN2040UVT	文件：475.34 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Input Capacitance  Low On-Resistance  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：475.34 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2040UVT-13	文件：475.34 Kbytes Page：7 Pages	丝印：CN8；Package：TSOT26；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Input Capacitance  Low On-Resistance  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：475.34 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2040UVT-7	文件：475.34 Kbytes Page：7 Pages	丝印：CN8；Package：TSOT26；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low Input Capacitance  Low On-Resistance  Fast Switching Speed  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：475.34 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2040UVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.7 A
PD @ TA = +25°C：
1.6 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
24 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
32 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
1.5 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
7.5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
TSOT26

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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