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DMN2030UCA4	文件：708.22 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  CSP with Footprint 1.15mm × 1.15mm  Height = 0.120mm (Typical) for Low Profile  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC 文件：708.22 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2030UCA4	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RSS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2030UCA4-7	文件：708.22 Kbytes Page：7 Pages	丝印：J9；Package：X4-DSN1111-4；N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  CSP with Footprint 1.15mm × 1.15mm  Height = 0.120mm (Typical) for Low Profile  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC 文件：708.22 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2044UCB4-7	文件：0 bytes Page：0 Pages		DIODESINC 上传：深圳市三芯电子有限公司	DIODESINC
DMN2300UFD-7-81	文件：0 bytes Page：0 Pages	X1-DFN1212-3	DIODES/美台上传：深圳市纳睿斯电子科技有限公司	DIODES/美台

技术参数

Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)：
Standard
Polarity：
N+N
N)：
No
(V)：
20 V
(±V)：
12 ±V
@TA = +25°C (A)：
6.3 A
PD @TA = +25°C (W)：
1.9 W
RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)：
32 mΩ
RDS(ON)Max @ VGS(2.5V)(mΩ)：
50 mΩ
Min (V)：
0.35 V
Max (V)：
1.4 V
CISS Typ (pF)：
523 pF
(V)：
10 V
Packages：
X4-DSN1111-4

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	DMN2030UCA4-7	Diodes Incorporated	25+	4-XFBGA DSBGA	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市乾能惠电子有限公司	DMN2030UCA4-7	DIODES/美台	24+	N/A	500000	美台原厂超低价支持	询价
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更多DMN2030UCA4供应商更新时间2025-12-23 16:16:00

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