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DMN2041UVT	文件：485.05 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts q 文件：485.05 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2041UVT-13	文件：485.05 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HD3；Package：TSOT26；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts q 文件：485.05 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2041UVT-7	文件：485.05 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HD3；Package：TSOT26；DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts q 文件：485.05 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2041UVT	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. •Low On-Resistance\n•Low Input Capacitance\n•Fast Switching Speed\n•Low Input/Output Leakage\n•Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)\n•Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)\n•For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts qualified to AEC-Q101;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No Y/N
VDS：
20 V
VGS：
8 ±V
IDS @ TA = +25°C：
5.8 A
PD @ TA = +25°C：
1.1 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
28 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
32 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
40 mΩ
VGS(th) Min. (V)：
0.4 V
VGS (th) Max：
0.9 V
CISS Typ：
689 pF
CISS Condition [@VDS]：
10 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
9.1
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
TSOT26

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更多DMN2041UVT供应商更新时间2025-10-11 9:11:00

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