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DMN2026UVT

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN2026UVT-13

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN2026UVT-7

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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DIODES

美台半导体

DMN2026UVT

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Low Input Capacitance\nLow On-Resistance\nFast Switching Speed;

Diodes

美台半导体

技术参数

  • Automotive Compliant PPAP:

    No

  • Polarity:

    N

  • ESD Diodes:

    No

  • VDS:

    20 V

  • VGS:

    10 ±V

  • IDS @ TA = +25°C:

    N/A A

  • PD @ TA = +25°C:

    1.75 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V):

    N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V):

    24 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V):

    32 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V):

    N/A mΩ

  • VGS (th) Max:

    1.5 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC):

    10 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC):

    N/A nC

  • Packages:

    TSOT26

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更多DMN2026UVT供应商 更新时间2025-10-7 9:04:00