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DMN2012UCA6-7

丝印:M3;Package:X3-DSN2718-6;N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Features  CSP with Footprint 2.70mm × 1.81mm  Height = 0.21mm for Low Profile  ESD Protection of Gate  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)  For automotive applications requiring specific change control (i.e. parts

文件:457.57 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMN2012UCA6-7

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 描述:MOSFET BVDSS: 8V-24V X3-DSN2718-

DIODES

美台半导体

DMN2044UCB4-7

DIODESINC

DMN2300UFD-7-81

X1-DFN1212-3

DIODES/美台

DMN24H3D5L-7

SOT-23

DIODES

美台半导体

上传:深圳市科芯源微电子有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    DMN2012UCA6-7

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 描述:

    MOSFET BVDSS

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更多DMN2012UCA6-7供应商 更新时间2025-12-10 14:02:00