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DMN2016LFG	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate\nresistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching\nperformance, making it ideal for high efficiency power management\napplications.	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN2016LFG	文件：194.48 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：194.48 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2016LHAB	文件：302.67 Kbytes Page：6 Pages	Low On-Resistance 文件：302.67 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2016LHAB	文件：302.67 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：302.67 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN2016UFX	文件：591.3 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features  Low On-Resistance  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  ESD Protected  Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)  Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) 文件：591.3 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
On Request*
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
Yes
VDS：
20 V
VGS：
N/A ±V
IDS @ TA = +25°C：
5.2 A
PD @ TA = +25°C：
0.77 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
18 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
22 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
30 mΩ
VGS (th) Max：
1.1 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
16 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
37 nC
Packages：
U-DFN3030-8

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