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DMMT5551	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5551	文件：121.09 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5551	文件：78.85 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •SurfaceMountSOT-363Package •200mWattsofPowerDissipation •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 •Marking:K4R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DMMT5551S	文件：101.9 Kbytes Page：4 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5551S	文件：77.16 Kbytes Page：3 Pages	MATCHEDNPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(DMMT5401) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •IntrinsicallyMatchedNPNPair(Note1) •2MatchedTolerance,hFE,VCE(SAT),VBE(SAT) •LeadFree/RoHSCompliant(Note4) •GreenDevice(Note5an	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DMMT5551-TP	文件：78.85 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors Features •SurfaceMountSOT-363Package •200mWattsofPowerDissipation •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •CaseMaterial:MoldedPlastic.ULFlammabilityClassificationRating94V-0andMSLRating1 •Marking:K4R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
DXT5551	文件：238.33 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages.	DCCOM Dc Components	DCCOM
DXT5551	文件：372.59 Kbytes Page：6 Pages	160VNPNTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DZT5551	文件：177.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •BVCEO>160V •BVEBO>6V •IC=600mAContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@10mA) •hFEspecifiedupto50mAforahighgainholdup •ComplementaryPNPType:DZT5401 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAnti	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DZT5551Q	文件：492.12 Kbytes Page：7 Pages	160VNPNVOLTAGETRANSISTORINSOT223 Description ThisBipolarJunctionTransistor(BJT)isdesignedtomeetthestringentrequirementsofAutomotiveApplications. Features •BVCEO>160V •BVEBO>6V •IC=600mAContinuousCollectorCurrent •LowSaturationVoltage(150mVmax@10mA) •hFEspecifiedupto50mAforahighgain	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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深圳市百诺芯科技有限公司	CZ5551D	DIODES/美台	23+	NA	12730	原装正品代理渠道价格优势	询价
深圳市能元时代电子有限公司	CZ5551TR	CENTRAL	23+	SOT-223	59702	公司原装现货!主营品牌!可含税欢迎查询	询价
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