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CSD18532KCS | 丝印：CSD18532KCS；Package：TO-220；CSD18532KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Pb free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • DC-DC conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control Description This 文件：1.1984 Mbytes 页数：14 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
丝印：CSD18532KCS；Package：TO-220；CSD18532KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Pb free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • DC-DC conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control Description This 文件：1.1984 Mbytes 页数：14 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
CSD18532KCS | 丝印：CSD18532KCS；Package：TO-220；CSD18532KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Pb free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • DC-DC conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control Description This 文件：1.1984 Mbytes 页数：14 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
丝印：CSD18532KCS；Package：TO-220；CSD18532KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Pb free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • DC-DC conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control Description This 文件：1.1984 Mbytes 页数：14 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
CSD18532KCS | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 4.2mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：322.04 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
CSD18532KCS | 60-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：928.83 Kbytes 页数：10 Pages | TI 德州仪器 | TI |
详细参数
- 型号：
CSD18532KCS
- 功能描述：
MOSFET 60-V N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
25+ |
TO-220(TO-220-3) |
36000 |
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TI/德州仪器 |
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TO-220(TO-220-3) |
500000 |
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TI/德州仪器 |
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TO220 |
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TI/德州仪器 |
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