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CMPT8099	文件：328.98 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT8099andCMPT8599arecomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforgeneralpurposeaudioamplifierapplications	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT8599	文件：328.98 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT8099andCMPT8599arecomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforgeneralpurposeaudioamplifierapplications	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT918	文件：78.02 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON RF TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT918typeisanNPNsiliconRFtransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighfrequency(VHF/UHF)amplifierandoscillatorapplications. MARKINGCODE:C3B	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT918	文件：450.73 Kbytes Page：2 Pages	NPN - RF Transistor Chip SmallSignalTransistor NPN-RFTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize14.5x14.5MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea2.4x2.2MILS EmitterBondin	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT930	文件：78.13 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT930typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforsmallsignalgeneralpurposeamplifierapplications. MarkingCodeisC1X.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT992	文件：112.03 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON LOW NOISE TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT992typesarePNPsiliconlownoisetransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforlownoiseamplifierapplicationswhereahighBVCEOisrequired. MARKINGCODE:SEEMARKINGCODETABLEON	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT992E	文件：112.03 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON LOW NOISE TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT992typesarePNPsiliconlownoisetransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforlownoiseamplifierapplicationswhereahighBVCEOisrequired. MARKINGCODE:SEEMARKINGCODETABLEON	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT992F	文件：112.03 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON LOW NOISE TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT992typesarePNPsiliconlownoisetransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforlownoiseamplifierapplicationswhereahighBVCEOisrequired. MARKINGCODE:SEEMARKINGCODETABLEON	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT992P	文件：112.03 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON LOW NOISE TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT992typesarePNPsiliconlownoisetransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforlownoiseamplifierapplicationswhereahighBVCEOisrequired. MARKINGCODE:SEEMARKINGCODETABLEON	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPTA06	文件：121.02 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPTA06andCMPTA56arecomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforsmallsignalgeneralpurposeandswitchingapplications. MARKINGCODES:CMPTA06:C1G	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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技术参数

Type：
DIP/MOS
Vdss(V)：
120
Ids(A)：
120
Vth(V)：
3
Rds(Ω)-10V：
0.0058
Rds(Ω)-4.5V：
0.007
Channel：
N场
Pd(W)：
250
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