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CMPA801B030S	文件：4.64636 Mbytes Page：17 Pages	7.9 - 11.0 GHz, 40 W, Packaged GaN MMIC Power Amplifier 文件：4.64636 Mbytes 页数：17 Pages	Cree 科锐	Cree
CMPA901A020S	文件：1.39955 Mbytes Page：15 Pages	9.3 - 9.6 GHz, 25 W, Packaged GaN MMIC Power Amplifier 文件：1.39955 Mbytes 页数：15 Pages	Cree 科锐	Cree
CMPA9396025S	文件：2.15705 Mbytes Page：16 Pages	9.3 - 9.6 GHz, 25 W, Packaged GaN MMIC Power Amplifier 文件：2.15705 Mbytes 页数：16 Pages	Cree 科锐	Cree
CMPA9396025S-AMP1	文件：2.15705 Mbytes Page：16 Pages	9.3 - 9.6 GHz, 25 W, Packaged GaN MMIC Power Amplifier 文件：2.15705 Mbytes 页数：16 Pages	Cree 科锐	Cree
CMPD1001	文件：523.39 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODE 文件：523.39 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CMPD1001	文件：523.39 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODE 文件：523.39 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CMPD1001_10	文件：523.39 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODE 文件：523.39 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CMPD1001_15	文件：523.39 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODE 文件：523.39 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CMPD1001A	文件：523.39 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODE 文件：523.39 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central
CMPD1001A	文件：523.39 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT HIGH CURRENT SILICON SWITCHING DIODE 文件：523.39 Kbytes 页数：2 Pages	Central	Central

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晶体管资料

型号：
CMP18-12
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
超高频/特高频（UHF）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
36V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
512MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
67W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
36
htest：
512000000
atest：
5
wtest：
67

技术参数

Type：
DIP/MOS
Vdss(V)：
120
Ids(A)：
120
Vth(V)：
3
Rds(Ω)-10V：
0.0058
Rds(Ω)-4.5V：
0.007
Channel：
N场
Pd(W)：
250
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