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CMPT6429	文件：328.36 Kbytes Page：2 Pages	NPN - Low Noise Amplifier Transistor Chip SmallSignalTransistor NPN-LowNoiseAmplifierTransistorChip	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT6429	文件：78.74 Kbytes Page：2 Pages	NPN SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT6428andCMPT6429areNPNsilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighgainamplifierapplications. MARKINGCODES:CMPT6428:C1K CMPT6429:	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT651	文件：104.28 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT NPN HIGH CURRENT TRANSISTOR SmallSignalTransistor NPN-HighCurrentTransistorChip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize40x40MILS DieThickness7.1MILS BaseBondingPadArea7.9x8.7MILS Emitter	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT651	文件：463.1 Kbytes Page：2 Pages	NPN - High Current Transistor Chip PROCESSCP314V SmallSignalTransistor NPN-HighCurrentTransistorChip	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT6517	文件：104.01 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT6517andCMPT6520arecomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltagedriverandamplifierapplications. MARKINGCODES:CMPT6517:C1Z	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT6520	文件：104.01 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT6517andCMPT6520arecomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltagedriverandamplifierapplications. MARKINGCODES:CMPT6517:C1Z	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT7090L	文件：216.99 Kbytes Page：2 Pages	Power Transistor PNP - Low Saturation Transistor Chip PROCESSDETAILS ProcessEPITAXIALPLANAR DieSize41.3x41.3MILS DieThickness9.0MILS BaseBondingPadArea9.5x9.2MILS EmitterBondingPadArea12.8x10.2MILS TopSideMetalizati	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT7410	文件：116.3 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT PNP SILICON LOW VCE (SAT) TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT7410typeisaPNPLowVCE(SAT)silicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocessandepoxymoldedinanSOT-23surfacemountpackage.Thisdeviceisdesignedforbatterydriven,handhelddevicesrequiringhighcurrentandLowVCE(SAT). MA	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT751	文件：104.24 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT PNP HIGH CURRENT TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT751typeisahighcurrentPNPSiliconTransistor,epoxymoldedinaspacesavingPowerSOT-23Fsurfacemountpackage,designedforhighcurrentapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT7820	文件：330.83 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT VERY LOW VCE(SAT) PNP SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT7820isaverylowVCE(SAT)PNPTransistor,designedforapplicationswheresizeandefficiencyareprimerequirements.PackagedinanindustrystandardSOT-23,thisdevicebringsupdatedelectricalspecificationsandcharacteristicssuitableforthemos	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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技术参数

Type：
DIP/MOS
Vdss(V)：
120
Ids(A)：
120
Vth(V)：
3
Rds(Ω)-10V：
0.0058
Rds(Ω)-4.5V：
0.007
Channel：
N场
Pd(W)：
250
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