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CMPSH-3E	文件：129.68 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPSH-3ESeriestypesareEnhancedVersionsoftheCMPSH-3SeriesofSiliconSchottkyDiodesinanSOT-23SurfaceMountPackage. FEATUREDENHANCEDSPECIFICATIONS: ♦IFfrom100mAmaxto200mAmax. ♦BVRfrom30Vminto40Vmin. ♦VFfrom1.0Vmaxto	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPSH-3E	文件：664.74 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPSH-3ESeriestypesareEnhancedVersionsoftheCMPSH-3SeriesofSiliconSchottkyDiodesinanSOT-23SurfaceMountPackage. FEATUREDENHANCEDSPECIFICATIONS: ♦IFfrom100mAmaxto200mAmax. ♦BVRfrom30Vminto40Vmin. ♦VFfrom1.0Vmaxto0.8V	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPSH-3E_10	文件：664.74 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPSH-3ESeriestypesareEnhancedVersionsoftheCMPSH-3SeriesofSiliconSchottkyDiodesinanSOT-23SurfaceMountPackage. FEATUREDENHANCEDSPECIFICATIONS: ♦IFfrom100mAmaxto200mAmax. ♦BVRfrom30Vminto40Vmin. ♦VFfrom1.0Vmaxto0.8V	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPSH-3S	文件：79.59 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY DIODES DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPSH-3seriestypesareSiliconSchottkydiodesdesignedforsurfacemountfastswitchingapplicationsrequiringalowforwardvoltagedrop.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPSH-3S	文件：588.9 Kbytes Page：2 Pages	SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPSH-3seriestypesareSiliconSchottkydiodesdesignedforsurfacemountfastswitchingapplicationsrequiringalowforwardvoltagedrop.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPSH-3S	文件：100.23 Kbytes Page：2 Pages	Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers Array FEATURES •Lowforwardvoltage •Fastswitching	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
CMPSH-3S	文件：172.57 Kbytes Page：3 Pages	350mW 30Volt Switching Diode Features •LowCurrentLeakage •ForSurfaceMountApplications •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuf	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
CMPSH-3S	文件：4.35139 Mbytes Page：4 Pages	SCHOTTKY BARRIER DIODE SOT-23Plastic-EncapsulateDiodes FEATURES ●HighSwitchingSpeed ●LowForwardVoltage	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CMPSH-3S	文件：224.87 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Diode Features ◇ExtremelyFastswitchingspeed. ◇Lowforwardvoltage. ◇PowerdissipationPd=350mW ◇Pb/RoHSFree Applications ◇Fastswitchingapplication.	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
CMPSH-3SE	文件：129.68 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON SCHOTTKY DIODES DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPSH-3ESeriestypesareEnhancedVersionsoftheCMPSH-3SeriesofSiliconSchottkyDiodesinanSOT-23SurfaceMountPackage. FEATUREDENHANCEDSPECIFICATIONS: ♦IFfrom100mAmaxto200mAmax. ♦BVRfrom30Vminto40Vmin. ♦VFfrom1.0Vmaxto	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central

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技术参数

Type：
DIP/MOS
Vdss(V)：
120
Ids(A)：
120
Vth(V)：
3
Rds(Ω)-10V：
0.0058
Rds(Ω)-4.5V：
0.007
Channel：
N场
Pd(W)：
250
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更多CMP供应商更新时间2025-7-29 16:10:00

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